革新とTACコーティング準備技術の応用

2025-08-25

TaCで覆われたグラフィットは,純粋なグラフィットと比較して優れた化学腐食耐性を示し,2600°Cまでの温度で安定して動作することができます.半導体の3代目のシングルクリスタル成長とウェーファーエピタキシアル成長のための最高性能のコーティングです. TaCコーティングは結晶縁の欠陥を解決し,結晶の成長質を向上させ",速く,厚く,大きく"成長を達成するためのコア技術の1つとなっています.

現在,化学蒸気堆積 (CVD) は半導体アプリケーションのためのTaCコーティングを準備するための最も一般的な方法です.最近, the German Institute for Semiconductors and the Japanese TaC Research & Industrialization Organization have demonstrated significant advantages over CVD TaC coatings in the growth of GaN single crystals and PVT growth of SiC single crystals.

中国が独立開発した多相TaCコーティング技術は,技術的仕様を満たしながらも,CVD方法と比較してTaCコーティングのコストを大幅に削減することができます.また,高粘着強さなどの利点も提供しています低熱圧,優れた密封性,高温安定性

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