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CVDのコータ

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Hf Zr と Si コドポジションの 900-1050C 化学蒸気アルミニゼーションオーブン

Temp.of deposition((℃): 900-1050

Process pressure(mbar): 100-300

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AICL3 前駆物 切削ツール用化学蒸気堆積炉 プロセス温度700〜1050C

Process temperature((℃): 700-1050

Precursors and process gases: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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高温塗装プロセス機器 プリキュアとプロセスガス TiCl4 AlCl3 CH3CN H2 N2 Ar CH4 CO CO2 HCl H2S

前駆物及びプロセスガス: TiCl4、AlCl3、CH3CN、H2、N2、Ar、CH4、CO、CO2、HCl、H2S

コーティング基板: メタル,セラミック,ガラスなど

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良い価格 温度合金塗装室 電気抵抗 加熱 CVD オーブン サイズ調整可能な金属またはセラミック基板 オンライン ビデオ

温度合金塗装室 電気抵抗 加熱 CVD オーブン サイズ調整可能な金属またはセラミック基板

塗装方法: 化学蒸気堆積 (CVD)

総電源: 約40/50/60/80KW

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良い価格 高温合金塗装室 化学蒸気堆積塗装機械 バルフスタンカービッド切削ツール オンライン ビデオ

高温合金塗装室 化学蒸気堆積塗装機械 バルフスタンカービッド切削ツール

前駆物及びプロセスガス: TiCl4、AlCl3、CH3CN、H2、N2、Ar、CH4、CO、CO2、HCl、H2S

コーティング装置の大きさ: カスタマイズ可能

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良い価格 電気抵抗加熱CVDコーティングマシン 1000°Cまで高温コーティングのための中国とターンキープロジェクト オンライン ビデオ

電気抵抗加熱CVDコーティングマシン 1000°Cまで高温コーティングのための中国とターンキープロジェクト

総電源: 約40/50/60/80KW

コーティング基板: メタル,セラミック,ガラスなど

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良い価格 高級CVDコーティングマシン 陶磁基板 強いコーティング 粘着 総電源 約40/50/60/80KW オンライン ビデオ

高級CVDコーティングマシン 陶磁基板 強いコーティング 粘着 総電源 約40/50/60/80KW

コーティング基板: メタル,セラミック,ガラスなど

コーティングの密着性: 強い

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ハニーコムセラミックCVDコーティングオーブン 700~1050Cのプロセス温度とオプションのオフガスニュートライザー

プロセス温度 (°C): 700〜1050

前駆物及びプロセスガス: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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ロールシールホイールCVDコーティングオーブン,CO前駆物と第二段階ガス配送器

プロセス温度 (°C): 700〜1050

前駆物及びプロセスガス: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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化学蒸気堆積塗装炉 セメント/タングランカービッド切削ツール

プロセス温度 (°C): 700〜1050

前駆物及びプロセスガス: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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化学蒸気堆積塗料炉 TiCL4,AICL3の前駆物およびプロセスガス

プロセス温度 (°C): 700〜1050

前駆物及びプロセスガス: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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TiC TiN TiCN a-AL2O3 と K-AI2O3 コーティングのための高度なCVD/CVI蒸気堆積炉 700~1050Cのプロセス温度で

プロセス温度 (°C): 700〜1050

塗装の種類: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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カスタマイズされたCvdラボ真空炉 化学蒸気堆積 Cvdコーティングオーブン

プロセス温度 (°C): 700〜1050

塗装の種類: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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700〜1050Cのプロセス温度を持つCVDオーブン

プロセス温度 (°C): 700〜1050

塗装の種類: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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垂直型大型ピロリティック炭素CVI炉 最大作業温度1300Cの上下負荷

最大作業温度 ((°C): 1300

温度均一性 (°C): ≤±7

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良い価格 HTCVD シリコンカービッド CVD SIC エピタキシ成長炉 多重温度制御ゾーン オンライン ビデオ

HTCVD シリコンカービッド CVD SIC エピタキシ成長炉 多重温度制御ゾーン

効果的空間 (mm): 1000*1000*1500

熱力 (KVA): 300

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