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high temperature furnace (475)  オンライン メーカー

TiC/TiN/TiCN/a-Al2O3/k-Al2O3 コーティング 700〜1050°Cの温度制御のCVDオーブン

熱帯: 4個/5個

最高温度:: 1100℃

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良い価格 RDE シリコンカービッドシンターストーブ 0.5-1バーの圧力でゴムおよびそれ以上の脱ワックス化のための温度卓越性を達成する オンライン ビデオ

RDE シリコンカービッドシンターストーブ 0.5-1バーの圧力でゴムおよびそれ以上の脱ワックス化のための温度卓越性を達成する

温度: 2200℃

部屋の大きさ: 300*300*600mm/500*500*1200mm/500*500*1800mm/カット

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700〜1050Cのプロセス温度を持つCVDオーブン

プロセス温度 (°C): 700〜1050

塗装の種類: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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TiC TiN TiCN a-AL2O3 と K-AI2O3 コーティングのための高度なCVD/CVI蒸気堆積炉 700~1050Cのプロセス温度で

プロセス温度 (°C): 700〜1050

塗装の種類: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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化学蒸気堆積塗料炉 TiCL4,AICL3の前駆物およびプロセスガス

プロセス温度 (°C): 700〜1050

前駆物及びプロセスガス: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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化学蒸気堆積塗装炉 セメント/タングランカービッド切削ツール

プロセス温度 (°C): 700〜1050

前駆物及びプロセスガス: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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ハニーコムセラミックCVDコーティングオーブン 700~1050Cのプロセス温度とオプションのオフガスニュートライザー

プロセス温度 (°C): 700〜1050

前駆物及びプロセスガス: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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良い価格 工業用真空グラフィティゼーション炉 オンライン ビデオ

工業用真空グラフィティゼーション炉

作業温度最高 (°C): 2500

到達真空度(Pa): 1

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Hf Zr と Si コドポジションの 900-1050C 化学蒸気アルミニゼーションオーブン

Temp.of deposition((℃): 900-1050

Process pressure(mbar): 100-300

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容易な維持の金属の射出成形の炉の冷却期間≤5h/≤6h/≤8h

名前: 金属の射出成形の炉

最高。働く臨時雇用者: 1550の℃

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上昇温暖気流はモリブデンの金属のアニーリング炉のクリープ抵抗を処理する

パッケージの詳細: 特別な木箱

受渡し時間: 5-8か月

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産業真空の熱い地殻均衡押す機械最高温度1600℃

名前: 産業真空の炉

適用: 超硬合金、ステンレス鋼陶磁器、精密鉄bae alloy.ect

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熱い地殻均衡押すことのための超硬合金HIPの炉1MPa AC210V-250V

名前: HIPの炉

最高。働き圧力: 10bar

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シリコンカービッドCVD塗装炉,グラフィット受容器またはエッチリング用

パッケージの詳細: 木製ケース

受渡し時間: 5〜6ヶ月

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良い価格 HTCVD シリコンカービッド CVD SIC エピタキシ成長炉 多重温度制御ゾーン オンライン ビデオ

HTCVD シリコンカービッド CVD SIC エピタキシ成長炉 多重温度制御ゾーン

効果的空間 (mm): 1000*1000*1500

熱力 (KVA): 300

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