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vacuum pressure furnace (486)  オンライン メーカー

シリコンカービッドCVD塗装炉,グラフィット受容器またはエッチリング用

パッケージの詳細: 木製ケース

受渡し時間: 5〜6ヶ月

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良い価格 1500C CVD SIC シリコンカービッドの成長のためのエピタキシ成長炉 1000*1000*1500mm有効空間 オンライン ビデオ

1500C CVD SIC シリコンカービッドの成長のためのエピタキシ成長炉 1000*1000*1500mm有効空間

効果的空間 (mm): 1000*1000*1500

熱力 (KVA): 300

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ハニーコムセラミックCVDコーティングオーブン 700~1050Cのプロセス温度とオプションのオフガスニュートライザー

プロセス温度 (°C): 700〜1050

前駆物及びプロセスガス: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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グラフィット材料のための高温工業浄化炉

マックス.作業温度: 2400℃

温度均一性: ≤±10℃

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シリコンカービッド再結晶シントリング炉

最大作業温度: 2400℃

温度均一性: ≤±5℃

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良い価格 中国CVDオーブン製造,シリコンカービッドコーティングマシン オンライン ビデオ

中国CVDオーブン製造,シリコンカービッドコーティングマシン

効果的空間 (mm): 1000*1000*1500

熱力 (KVA): 300

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高真空の程度/熱処理/180KVAの両開きドアの焼結炉

パッケージの詳細: 特別な木箱

受渡し時間: 5-8か月

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良い価格 RDE シリコンカービッドコーティングマシン CVD 化学蒸気堆積炉 オンライン ビデオ

RDE シリコンカービッドコーティングマシン CVD 化学蒸気堆積炉

効果的空間 (mm): 1000*1000*1500

熱力 (KVA): 300

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良い価格 HTCVD シリコンカービッド CVD SIC エピタキシ成長炉 多重温度制御ゾーン オンライン ビデオ

HTCVD シリコンカービッド CVD SIC エピタキシ成長炉 多重温度制御ゾーン

効果的空間 (mm): 1000*1000*1500

熱力 (KVA): 300

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ロールシールホイールCVDコーティングオーブン,CO前駆物と第二段階ガス配送器

プロセス温度 (°C): 700〜1050

前駆物及びプロセスガス: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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炉、真空の窒化の炉を和らげる1つのボタン操作の真空

圧力レベル: 1MPa/2MPa/6MPa/10MPa

ガスが導入されるようにして下さい: Ar/N2/H2/CH4

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産業MIM焼結炉、真空のDebindingによって統合される焼結炉

パッケージの詳細: 点検木の場合から免除される

受渡し時間: 100-120の仕事日

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統合される産業ステンレス鋼のMIM真空のDebindingの焼結炉

パッケージの詳細: 木の場合

受渡し時間: 100-120の仕事日

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100超硬合金のための棒60棒10棒焼結炉

有効スペース: カスタマイズ可能

色: 、黒い、白い灰色、青い

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高性能の陶磁器の焼結炉160KVA-480KVA

材料: ステンレス鋼/炭素鋼

色: 、白い、灰色、青い黒い、緑

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非酸化物の製陶術のための横の円柱珪華HIPの炉

証明: CE,ISO

最高温度: 1650度

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