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良い価格 化学蒸気堆積塗料炉 TiCL4,AICL3の前駆物およびプロセスガス オンライン ビデオ

化学蒸気堆積塗料炉 TiCL4,AICL3の前駆物およびプロセスガス

プロセス温度 (°C): 700〜1050

前駆物及びプロセスガス: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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良い価格 1200Cのセラミック基板のAMB結合のための先進的な真空溶融炉 オンライン ビデオ

1200Cのセラミック基板のAMB結合のための先進的な真空溶融炉

最大作業温度 ((°C): 1200

温度均一性 (°C): ≤±3

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良い価格 精密性 1800C シリコンカービッド反応シンタリングオーブン ≤±5C 温度均一性 オンライン ビデオ

精密性 1800C シリコンカービッド反応シンタリングオーブン ≤±5C 温度均一性

マックス.作業温度: 1800℃

温度均一性: ≤±5℃

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良い価格 Precision 1800C Silicon Carbide Reaction Sintering Furnace with ≤±5C Temperature Uniformity オンライン ビデオ

Precision 1800C Silicon Carbide Reaction Sintering Furnace with ≤±5C Temperature Uniformity

マックス.作業温度: 1800℃

温度の均一性: ≤±5℃

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シリコンカービッドCVD塗装炉,グラフィット受容器またはエッチリング用

パッケージの詳細: 木製ケース

受渡し時間: 5〜6ヶ月

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良い価格 中国CVDオーブン製造,シリコンカービッドコーティングマシン オンライン ビデオ

中国CVDオーブン製造,シリコンカービッドコーティングマシン

効果的空間 (mm): 1000*1000*1500

熱力 (KVA): 300

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グラファイト材料のための高温産業浄化炉

マックス.作業温度: 2400℃

温度均一性: ≤±10℃

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良い価格 800~1300°C超高真空と高温バッチシステム 鉄鋼または銅材料のための熱帯炉 オンライン ビデオ

800~1300°C超高真空と高温バッチシステム 鉄鋼または銅材料のための熱帯炉

最大作業温度 ((°C): 1300

Temperature uniformity(℃): ≤±3

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320KVA Siemens PLC制御高温真空の炉

構造: 単一の部屋、horizentalタイプ

次元: カスタマイズされる

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良い価格 RDE シリコンカービッドコーティングマシン CVD 化学蒸気堆積炉 オンライン ビデオ

RDE シリコンカービッドコーティングマシン CVD 化学蒸気堆積炉

効果的空間 (mm): 1000*1000*1500

熱力 (KVA): 300

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良い価格 HTCVD シリコンカービッド CVD SIC エピタキシ成長炉 多重温度制御ゾーン オンライン ビデオ

HTCVD シリコンカービッド CVD SIC エピタキシ成長炉 多重温度制御ゾーン

効果的空間 (mm): 1000*1000*1500

熱力 (KVA): 300

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良い価格 シリコンナイトライドセラミックシントリングオーブン 60bar 圧力とカスタマイズ可能な作業スペース オンライン ビデオ

シリコンナイトライドセラミックシントリングオーブン 60bar 圧力とカスタマイズ可能な作業スペース

作業スペース: 400*400*1200mm,または顧客のニーズに応じてカスタマイズ

作業圧: 60棒

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良い価格 化学蒸気堆積塗装炉 セメント/タングランカービッド切削ツール オンライン ビデオ

化学蒸気堆積塗装炉 セメント/タングランカービッド切削ツール

プロセス温度 (°C): 700〜1050

前駆物及びプロセスガス: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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良い価格 ロールシールホイールCVDコーティングオーブン,CO前駆物と第二段階ガス配送器 オンライン ビデオ

ロールシールホイールCVDコーティングオーブン,CO前駆物と第二段階ガス配送器

プロセス温度 (°C): 700〜1050

前駆物及びプロセスガス: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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良い価格 ハニーコムセラミックCVDコーティングオーブン 700~1050Cのプロセス温度とオプションのオフガスニュートライザー オンライン ビデオ

ハニーコムセラミックCVDコーティングオーブン 700~1050Cのプロセス温度とオプションのオフガスニュートライザー

プロセス温度 (°C): 700〜1050

前駆物及びプロセスガス: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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1200~2500°C 設計温度 観測孔付き高温真空炉

部屋の大きさ: カスタマイズ可能 (200*200*400/400*400*1200/500*500*1800mm)

究極の真空: 3.67*10⁻³ Pa

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