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vacuum furnace equipment (458)  オンライン メーカー

良い価格 500kg負荷1MPaは超硬合金のための焼結加圧炉に掃除機をかける オンライン

500kg負荷1MPaは超硬合金のための焼結加圧炉に掃除機をかける

放射能冷却期間: 少なくとも6時間

圧力: 1MPa

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良い価格 堅い金属のサーメットPM材料のためのカスタマイズ可能なガス圧力焼結炉 オンライン

堅い金属のサーメットPM材料のためのカスタマイズ可能なガス圧力焼結炉

色: 白、灰色、黒、青

電力定格: 120KVA、150KVA、480KVA

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良い価格 精密セラミク製の硬化炭化物,不?? 鋼製の銅製の合金材料のためのガス圧圧シンタリング炉 オンライン ビデオ

精密セラミク製の硬化炭化物,不?? 鋼製の銅製の合金材料のためのガス圧圧シンタリング炉

作業温度: 1200-1800℃

ガス圧: 1-10MPa

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良い価格 700〜1050Cのプロセス温度を持つCVDオーブン オンライン ビデオ

700〜1050Cのプロセス温度を持つCVDオーブン

プロセス温度 (°C): 700〜1050

塗装の種類: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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良い価格 精密温度制御 真空熱処理 溶接炉 最大 作業温度 1200C 温度均一性 ≤±3 オンライン

精密温度制御 真空熱処理 溶接炉 最大 作業温度 1200C 温度均一性 ≤±3

最大作業温度 ((°C): 1200

温度均一性 (°C): ≤±3

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良い価格 化学蒸気堆積塗装炉 セメント/タングランカービッド切削ツール オンライン ビデオ

化学蒸気堆積塗装炉 セメント/タングランカービッド切削ツール

プロセス温度 (°C): 700〜1050

前駆物及びプロセスガス: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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良い価格 1-10MPa ガス圧 圧迫シンテリングオーブン 乾燥真空シンテリング 真空度 オンライン ビデオ

1-10MPa ガス圧 圧迫シンテリングオーブン 乾燥真空シンテリング 真空度

Heating Zone: 1-4

操作時間: 300 オーブン/時間

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良い価格 高エネルギー効率のガス圧圧シンタリングオーブン 均質な温度大気と急速な冷却 オンライン ビデオ

高エネルギー効率のガス圧圧シンタリングオーブン 均質な温度大気と急速な冷却

冷却時間: ≤1h/4h/5h/6h/8h ((空炉,冷却 シンテリング温度1450〜100°C) 水温≤26°C,水圧2-3bar

サイズ: カスタマイズ

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良い価格 完全自動的にHIPの炉の単一の部屋/横/周期的な暖房を焼結させて下さい オンライン

完全自動的にHIPの炉の単一の部屋/横/周期的な暖房を焼結させて下さい

名前: 珪華のヒップの炉

水平な圧力:: 1MPa/6MPa/10MPa

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良い価格 最高温度1600℃の真空圧力炉、珪華HIPの炉のワックスのコレクション率98% オンライン

最高温度1600℃の真空圧力炉、珪華HIPの炉のワックスのコレクション率98%

名前: 真空圧力炉

ワックス コレクション率: 98%

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良い価格 自動漏水検知のDebindingの焼結炉の真空の分圧 オンライン

自動漏水検知のDebindingの焼結炉の真空の分圧

製品名: 焼結するDebinding/自動漏水検知の分圧を焼結させる真空

有効な作業域: 500mm×500mm×1800mm （W*H*L）

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良い価格 超硬合金のためのユーザー フレンドリーの製陶術の真空の焼結炉 オンライン

超硬合金のためのユーザー フレンドリーの製陶術の真空の焼結炉

使用法: 焼結炉

保証: 1年

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良い価格 高温真空蒸気堆積炉 最大温度範囲 1100C オンライン ビデオ

高温真空蒸気堆積炉 最大温度範囲 1100C

リアクター: 2pcs

最高温度:: 1100℃

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良い価格 SIC シリコンカービッド 高温真空シンタリング 保護大気 熱処理炉 オンライン ビデオ

SIC シリコンカービッド 高温真空シンタリング 保護大気 熱処理炉

塗料の色: グレー,ブルー,ホワイト,ブラック

炉殻の使用寿命: 20年

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良い価格 シリコンカービッドCVD塗装炉,グラフィット受容器またはエッチリング用 オンライン

シリコンカービッドCVD塗装炉,グラフィット受容器またはエッチリング用

パッケージの詳細: 木製ケース

受渡し時間: 5〜6ヶ月

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良い価格 1500C CVD SIC シリコンカービッドの成長のためのエピタキシ成長炉 1000*1000*1500mm有効空間 オンライン ビデオ

1500C CVD SIC シリコンカービッドの成長のためのエピタキシ成長炉 1000*1000*1500mm有効空間

効果的空間 (mm): 1000*1000*1500

熱力 (KVA): 300

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